PESD12VS1UA,115【PDF 7/14 页】DIODE ESD UNI-DIR 12V SC76

收藏本站

您好，
买卖IC网欢迎您。
请登录
免费注册

买卖IC网

Sheet目录240

3页 4页 5页 6页 [7页]8页 9页 10页 11页

NXP Semiconductors

PESD5V0S1UA; PESD12VS1UA

Unidirectional ESD protection for transient voltage suppression

? V CL ? V BR ? V RWM

P-N

? I RM

? I R

? I PP

006aaa407

PESD5V0S1UA_PESD12VS1UA_1

Fig 7.

V-I characteristics for a unidirectional ESD protection diode

Product data sheet

Rev. 01 — 9 February 2009

7 of 14

发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

*型号	*数量	厂商	批号	封装

添加更多采购

我的联系方式

相关代理商/技术参数

PESD12VS1UA115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:ESD PROTECTION DIODE SOD-323-

PESD12VS1UB 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS SOD-523 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, SOD-523

PESD12VS1UB T/R 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ARRAY ESD TAPE-7 RoHS:否制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C

PESD12VS1UB,115 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ARRAY ESD RoHS:否制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C

PESD12VS1UB115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ESD PROTECTION

PESD12VS1UJ 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ESD LOW CAPACITANCE SOD323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD323, Diode Type:ESD Protection, Power Dissipation Pd:420mW, Clamping Voltage Vc Max:27V, Diode Case Style:SOD-323F, No. of Pins:2, MSL:MSL 1 - Unlimited , RoHS Compliant: Yes

PESD12VS1UJ,115 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ESD PROTECTION DIODE D5V0L1UA/SOD RoHS:否制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C

PESD12VS1UL 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:ESD protection diodes in a SOD882 package

我
采购
搜索
会员

采购需求

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

我的联系方式